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UNR32A1G0L

UNR32A1G0L

数据手册.pdf
Panasonic(松下) 分立器件

SSSMini3-F1 NPN 50V 80mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 80mA 150MHz 100mW Surface Mount SSSMini3-F1


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 80mA 3-Pin SSSMini3-F1


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3 / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 150 MHz 100 mW Surface Mount SSSMini3-F2


UNR32A1G0L中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 80mA

最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V

额定功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-723

外形尺寸

封装 SOT-723

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

UNR32A1G0L引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
UNR32A1G0L Panasonic 松下 SSSMini3-F1 NPN 50V 80mA 搜索库存
替代型号UNR32A1G0L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: UNR32A1G0L

品牌: Panasonic 松下

封装: SSSMini3-F1 NPN

当前型号

SSSMini3-F1 NPN 50V 80mA

当前型号

型号: UNR32A100L

品牌: 松下

封装: SOT-723 NPN 50V 80mA

完全替代

NPN硅外延平面晶体管用于数字电路特性•最佳的s缩小设备和高密度安装•低功耗贡献

UNR32A1G0L和UNR32A100L的区别