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UNR211300L

UNR211300L

数据手册.pdf
Panasonic(松下) 分立器件

Mini3-G1 PNP 50V 100mA

- 双极 BJT - 单,预偏置 PNP - 预偏压 50 V 100 mA 80 MHz 200 mW 表面贴装型 迷你型3-G1


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin Mini3-G1


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3


UNR211300L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UNR211300L引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
UNR211300L Panasonic 松下 Mini3-G1 PNP 50V 100mA 搜索库存
替代型号UNR211300L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: UNR211300L

品牌: Panasonic 松下

封装: 50V PNP -50V -100mA

当前型号

Mini3-G1 PNP 50V 100mA

当前型号

型号: MMUN2113LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP -50V -100mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMUN2113LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SOT-23

UNR211300L和MMUN2113LT1G的区别

型号: MUN2113T1G

品牌: 安森美

封装: SC-59 PNP -50V -100mA 300mW

功能相似

MUN 系列 50 V 100 mA 47 kOhm PNP 硅 偏置电阻晶体管 - SC-59

UNR211300L和MUN2113T1G的区别

型号: MMUN2113LT3G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP -50V -100mA 300mW

功能相似

PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

UNR211300L和MMUN2113LT3G的区别