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UNR211M00L

UNR211M00L

数据手册.pdf
Panasonic(松下) 分立器件

Mini3-G1 PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3


UNR211M00L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

UNR211M00L引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
UNR211M00L Panasonic 松下 Mini3-G1 PNP 50V 100mA 搜索库存
替代型号UNR211M00L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: UNR211M00L

品牌: Panasonic 松下

封装: TO-236 PNP -50V -100mA

当前型号

Mini3-G1 PNP 50V 100mA

当前型号

型号: FJV4113RMTF

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-23 PNP -50V -100mA 200mW

功能相似

Fairchild Semiconductor### 数字晶体管,Fairchild Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

UNR211M00L和FJV4113RMTF的区别