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UNR521V00L

UNR521V00L

数据手册.pdf
Panasonic(松下) 分立器件

SMini3-G1 NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini3-G1


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMini3-G1


UNR521V00L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 6 @6mA, 10V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMini3-G1

外形尺寸

封装 SMini3-G1

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

UNR521V00L引脚图与封装图
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