锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

US6T5TR
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

TUMT PNP 30V 2A

Bipolar BJT Transistor PNP 30V 2A 280MHz 400mW Surface Mount TUMT6


得捷:
TRANS PNP 30V 2A TUMT6


艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 2A 6-Pin TUMT T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 30V 2A 6-Pin TUMT T/R


US6T5TR中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1 W

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 270 @200mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 270 @200mA, 2V

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSSOP-6

外形尺寸

长度 2.00 mm

宽度 1.7 mm

高度 0.77 mm

封装 TSSOP-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

US6T5TR引脚图与封装图
暂无图片
在线购买US6T5TR
型号 制造商 描述 购买
US6T5TR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 TUMT PNP 30V 2A 搜索库存