US6T4TR
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
US6T4TR中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1 W
极性 PNP
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 270 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 270 @500mA, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 UMT-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
高度 0.77 mm
封装 UMT-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
US6T4TR引脚图与封装图
暂无图片
替代型号US6T4TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： US6T4TR 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： UMT-6 PNP 1000mW | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIPOLAR PNP | 当前型号 |
| 型号： 2SB1705TL 品牌： 罗姆半导体 封装： TSMT PNP -12V -3A 500mW | 功能相似 | 单晶体管 双极, PNP, -12 V, 280 MHz, 500 mW, -3 A, 270 hFE | US6T4TR和2SB1705TL的区别 |
| 型号： QST4TR 品牌： 罗姆半导体 封装： TSMT PNP | 功能相似 | TSMT PNP 12V 3A | US6T4TR和QST4TR的区别 |