US6X4TR
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
US6X4TR中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1 W
极性 NPN
耗散功率 1000 mW
增益频宽积 280 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 270
最大电流放大倍数hFE 270 @200mA, 2V
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 UMT-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
高度 0.77 mm
封装 UMT-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
US6X4TR引脚图与封装图
暂无图片
替代型号US6X4TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： US6X4TR 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TUMT NPN 1000mW | 当前型号 | TUMT NPN 30V 2A | 当前型号 |
| 型号： 2SD2701TL 品牌： 罗姆半导体 封装： TUMT-3 NPN 12V 2A 0.8W | 功能相似 | NPN 功率晶体管，ROHM### 双极晶体管，ROHM | US6X4TR和2SD2701TL的区别 |