USBQNM50403CE3/TR7
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
USBQNM50403CE3/TR7中文资料参数规格
技术参数
脉冲峰值功率 500 W
最小反向击穿电压 4 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 VDFN-4
外形尺寸
封装 VDFN-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
制造应用 以太网
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
USBQNM50403CE3/TR7引脚图与封装图
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在线购买USBQNM50403CE3/TR7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| USBQNM50403CE3/TR7 | Microsemi 美高森美 | TVS DIODE 3.3V 500W 1CH BI QFN | 搜索库存 |
替代型号USBQNM50403CE3/TR7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： USBQNM50403CE3/TR7 品牌： Microsemi 美高森美 封装： 4-VDFN | 当前型号 | TVS DIODE 3.3V 500W 1CH BI QFN | 当前型号 |
| 型号： USBQ50403CE3/TR7 品牌： 美高森美 封装： QFN-143 | 类似代替 | TVS DIODE | USBQNM50403CE3/TR7和USBQ50403CE3/TR7的区别 |