ULN2003D1中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 1000 @350mA, 2V
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 SOIC-16
外形尺寸
封装 SOIC-16
物理参数
工作温度 -20℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
ULN2003D1引脚图与封装图
暂无图片
替代型号ULN2003D1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ULN2003D1 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SO NPN | 当前型号 | 七达林顿阵列 Seven darlington array | 当前型号 |
| 型号： ULN2003D1013TR 品牌： 意法半导体 封装： SOIC NPN 50V 500mA | 完全替代 | STMICROELECTRONICS ULN2003D1013TR 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC | ULN2003D1和ULN2003D1013TR的区别 |