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UPA800T-T1

UPA800T-T1

数据手册.pdf
California Eastern Laboratories 分立器件

射频RF双极晶体管 DISC BY CEL 2/02 SO-6 NPN HI-FREQ

RF 2 NPN(双) 10V 35mA 8GHz 200mW 表面贴装型 6-SO


得捷:
RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ 6SO


贸泽:
射频RF双极晶体管 DISC BY CEL 2/02 SO-6 NPN HI-FREQ


艾睿:
Trans RF BJT NPN 10V 0.035A 6-Pin SOT-363 T/R


Win Source:
TRANS NPN HF FT=8GHZ SOT-363


UPA800T-T1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 10 V

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 3V

最大电流放大倍数hFE 80 @5mA, 3V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-6

外形尺寸

封装 TSSOP-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

UPA800T-T1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
UPA800T-T1 California Eastern Laboratories 射频RF双极晶体管 DISC BY CEL 2/02 SO-6 NPN HI-FREQ 搜索库存
替代型号UPA800T-T1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: UPA800T-T1

品牌: California Eastern Laboratories

封装: 6-TSSOP

当前型号

射频RF双极晶体管 DISC BY CEL 2/02 SO-6 NPN HI-FREQ

当前型号

型号: UPA800T-T1-A

品牌: California Eastern Laboratories

封装: 6-TSSOP 200mW

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