UMIL3

Microsemi(美高森美) 分立器件

RF Power Bipolar Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 55Ft, 4Pin

RF Transistor NPN 30V 700mA 225MHz ~ 400MHz 11W Chassis, Stud Mount 55FT

得捷:
RF TRANS NPN 30V 400MHZ 55FT

贸泽:
RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor

艾睿:
Trans RF BJT NPN 30V 0.7A 3-Pin Case 55FT-2

富昌:
3 W 55 V 225 to 400 MHz Common Emitter Broadband Bipolar Transistor

UMIL3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 11000 mW

输出功率 3.00 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

增益 11.8db ~ 13dB

最小电流放大倍数hFE 10 @100A, 5V

额定功率Max 11 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 11000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 3

封装 FT-55

外形尺寸

高度 16.64 mm

封装 FT-55

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UMIL3引脚图与封装图

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UMIL3	Microsemi 美高森美	RF Power Bipolar Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 55Ft, 4Pin	搜索库存