UPA812T-T1-A
数据手册.pdf
California Eastern Laboratories
分立器件
UPA812T-T1-A中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 10 V
增益 12 dB
最小电流放大倍数hFE 70 @7mA, 3V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-6
外形尺寸
高度 0.9 mm
封装 SOT-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
UPA812T-T1-A引脚图与封装图
暂无图片
在线购买UPA812T-T1-A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| UPA812T-T1-A | California Eastern Laboratories | Trans RF BJT NPN 10V 0.065A 6Pin SOT-363 T/R | 搜索库存 |
替代型号UPA812T-T1-A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： UPA812T-T1-A 品牌： California Eastern Laboratories 封装： 6-TSSOP 200mW | 当前型号 | Trans RF BJT NPN 10V 0.065A 6Pin SOT-363 T/R | 当前型号 |
| 型号： UPA812T-A 品牌： California Eastern Laboratories 封装： 6-TSSOP 200mW | 类似代替 | 射频RF双极晶体管 NPN High Frequency | UPA812T-T1-A和UPA812T-A的区别 |