UPA2766T1A-E2-AY

Renesas Electronics 瑞萨电子分立器件

N沟道MOSFET 30 V ， 130 A， 0.88毫安 N-channel MOSFET 30 V, 130 A, 0.88 mA

表面贴装型 N 通道 30 V 130A（Tc） 1.5W（Ta），83W（Tc） 8-HVSON（5.4x5.15）

得捷:
MOSFET N-CH 30V 130A 8HVSON

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 130A 8-Pin HVSON EP T/R

DeviceMart:
MOSFET N CH 30V 130A HVSON 6051

UPA2766T1A-E2-AY中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.5W Ta, 83W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 10850pF @10VVds

耗散功率Max 1.5W Ta, 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 HVSON-8

外形尺寸

封装 HVSON-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UPA2766T1A-E2-AY引脚图与封装图

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