UPA800T-A
数据手册.pdf
California Eastern Laboratories
分立器件
UPA800T-A中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 10 V
增益 7.5 dB
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 80 @5mA, 3V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-6
外形尺寸
高度 0.9 mm
封装 SOT-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
UPA800T-A引脚图与封装图
暂无图片
在线购买UPA800T-A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| UPA800T-A | California Eastern Laboratories | 射频RF双极晶体管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst | 搜索库存 |
替代型号UPA800T-A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： UPA800T-A 品牌： California Eastern Laboratories 封装： 6-TSSOP 200mW | 当前型号 | 射频RF双极晶体管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst | 当前型号 |
| 型号： UPA800T-T1-A 品牌： California Eastern Laboratories 封装： 6-TSSOP 200mW | 完全替代 | UPA800 系列 10 V 8 GHz 3.2 dB 200 mW 双通道 NPN HF 晶体管 - SOT 2 | UPA800T-A和UPA800T-T1-A的区别 |