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UGB8JT-E3/81

UGB8JT-E3/81

数据手册.pdf

高压超快整流器 High Voltage Ultrafast Rectifier

Diode Standard 600V 8A Surface Mount TO-263AB


得捷:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB


贸泽:
整流器 600 Volt 8.0A 25ns 100 Amp IFSM


艾睿:
Diode Switching 600V 8A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R


安富利:
Diode Switching 600V 8A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R


富昌:
UGB8JT 系列 8 A 600 V 50 ns 高压 超快 整流器 - TO263AB


UGB8JT-E3/81中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.75V @8A

反向恢复时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.45 mm

宽度 9.14 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UGB8JT-E3/81引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
UGB8JT-E3/81 Vishay Semiconductor 威世 高压超快整流器 High Voltage Ultrafast Rectifier 搜索库存
替代型号UGB8JT-E3/81
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: UGB8JT-E3/81

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: TO-263AB

当前型号

高压超快整流器 High Voltage Ultrafast Rectifier

当前型号

型号: UGB8JT-E3/45

品牌: 威世

封装:

完全替代

高压超快整流器 High Voltage Ultrafast Rectifier

UGB8JT-E3/81和UGB8JT-E3/45的区别

型号: UGB8JTHE3/45

品牌: 威世

封装: TO-263-3

完全替代

高压超快整流器 High Voltage Ultrafast Rectifier

UGB8JT-E3/81和UGB8JTHE3/45的区别

型号: UGB8JTHE3/81

品牌: 威世

封装: TO-263-3

完全替代

高压超快整流器 High Voltage Ultrafast Rectifier

UGB8JT-E3/81和UGB8JTHE3/81的区别