UPA810T-A
数据手册.pdf
California Eastern Laboratories
分立器件
UPA810T-A中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 110 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 9 dB
最小电流放大倍数hFE 70 @7mA, 3V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
高度 0.9 mm
封装 SC-70-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
UPA810T-A引脚图与封装图
暂无图片
在线购买UPA810T-A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| UPA810T-A | California Eastern Laboratories | 射频RF双极晶体管 NPN High Frequency | 搜索库存 |
替代型号UPA810T-A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： UPA810T-A 品牌： California Eastern Laboratories 封装： 6-TSSOP 200mW | 当前型号 | 射频RF双极晶体管 NPN High Frequency | 当前型号 |
| 型号： UPA810T-T1-A 品牌： California Eastern Laboratories 封装： 6-TSSOP 200mW | 类似代替 | Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 6Pin SOT-363 T/R | UPA810T-A和UPA810T-T1-A的区别 |