耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 10 V
增益 7.5 dB
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 80 @5mA, 3V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
高度 0.9 mm
封装 SC-70-6
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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UPA800T-T1-A | California Eastern Laboratories | UPA800 系列 10 V 8 GHz 3.2 dB 200 mW 双通道 NPN HF 晶体管 - SOT 2 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: UPA800T-T1-A 品牌: California Eastern Laboratories 封装: 6-TSSOP 200mW | 当前型号 | UPA800 系列 10 V 8 GHz 3.2 dB 200 mW 双通道 NPN HF 晶体管 - SOT 2 | 当前型号 | |
型号: UPA800T-A 品牌: California Eastern Laboratories 封装: 6-TSSOP 200mW | 完全替代 | 射频RF双极晶体管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst | UPA800T-T1-A和UPA800T-A的区别 | |
型号: UPA800T-T1 品牌: California Eastern Laboratories 封装: 6-TSSOP | 类似代替 | 射频RF双极晶体管 DISC BY CEL 2/02 SO-6 NPN HI-FREQ | UPA800T-T1-A和UPA800T-T1的区别 |