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UPA806T-T1-A

UPA806T-T1-A

数据手册.pdf
California Eastern Laboratories 分立器件

UPA806 系列 6 V 12 GHz 双 NPN 高频 晶体管 - SOIC-6

RF 2 NPN（双） 6V 30mA 12GHz 200mW 表面贴装型 SOT-363


得捷:
RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ SOT363


艾睿:
Superior characteristics of this UPA806T-T1-A RF amplifier from California Eastern Laboratories make it perfect for operating at higher RF frequency ranges than RF MOSFETS. This RF transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C.


安富利:
Trans GP BJT NPN 6V 0.03A 6-Pin SOT-363 T/R


富昌:
UPA806 系列 6 V 12 GHz 双 NPN 高频 晶体管 - SOIC-6


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 6V 0.03A 6-Pin SOT-363 T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 6V 0.03A 6-Pin SOT-363 T/R


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN FT=12GHZ SOT363


Win Source:
RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363


UPA806T-T1-A中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 6.00 V

额定电流 30.0 mA

极性 NPN

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 6 V

增益 8.5 dB

最小电流放大倍数hFE 75 @10mA, 3V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSSOP-6

外形尺寸

封装 TSSOP-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

UPA806T-T1-A引脚图与封装图
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在线购买UPA806T-T1-A
型号 制造商 描述 购买
UPA806T-T1-A California Eastern Laboratories UPA806 系列 6 V 12 GHz 双 NPN 高频 晶体管 - SOIC-6 搜索库存
替代型号UPA806T-T1-A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： UPA806T-T1-A

品牌： California Eastern Laboratories

封装： 6-TSSOP NPN 6V 30mA 200mW

当前型号

UPA806 系列 6 V 12 GHz 双 NPN 高频 晶体管 - SOIC-6

当前型号

型号： UPA806T-T1

品牌： California Eastern Laboratories

封装： 6-TSSOP

完全替代

Trans RF BJT NPN 6V 0.03A 6Pin SOT-363 T/R

UPA806T-T1-A和UPA806T-T1的区别

型号： UPA806T-A

品牌： California Eastern Laboratories

封装： 6-TSSOP NPN 200mW

功能相似

Trans RF BJT NPN 6V 0.03A 6Pin SOT-363

UPA806T-T1-A和UPA806T-A的区别