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ULQ2801A

ULQ2801A

数据手册.pdf

STMicroelectronics达林顿晶体管功率提供高电压、高电流开关阵列，包含多个开路集电极复合晶体管对和一体式抑制二极管，用于电感性负载。 每个输出的高电流额定值为 500 mA 或更高。 输入是与输出相反的引脚，采用 IC 封装，用于简化应用板布局。 接口为标准逻辑电平，用于 TTL 或 CMOS。### Darlington 晶体管驱动器，执行器外围设备驱动器

复合阵列，STMicroelectronics

达林顿晶体管功率提供高电压、高电流开关阵列，包含多个开路集电极复合晶体管对和一体式抑制二极管，用于电感性负载。 每个输出的高电流额定值为 500 mA 或更高。 输入是与输出相反的引脚，采用 IC 封装，用于简化应用板布局。 接口为标准逻辑电平，用于 TTL 或 CMOS。

### 达林顿晶体管驱动器


得捷:
IC ARRAYS EIGHT DARL 18-DIP


欧时:
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艾睿:
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 18-Pin PDIP Tube


安富利:
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 18-Pin PDIP Tube


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 18-Pin PDIP Tube


ULQ2801A中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 2250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 1000 @350mA, 2V

额定功率Max 2.25 W

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 2250 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 18

封装 PDIP-18

外形尺寸

长度 24.8 mm

宽度 7.1 mm

高度 5.1 mm

封装 PDIP-18

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 105℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

ULQ2801A引脚图与封装图
ULQ2801A引脚图

ULQ2801A引脚图

ULQ2801A封装图

ULQ2801A封装图

ULQ2801A封装焊盘图

ULQ2801A封装焊盘图

在线购买ULQ2801A
型号 制造商 描述 购买
ULQ2801A ST Microelectronics 意法半导体 STMicroelectronics 达林顿晶体管功率提供高电压、高电流开关阵列，包含多个开路集电极复合晶体管对和一体式抑制二极管，用于电感性负载。 每个输出的高电流额定值为 500 mA 或更高。 输入是与输出相反的引脚，采用 IC 封装，用于简化应用板布局。 接口为标准逻辑电平，用于 TTL 或 CMOS。 ### Darlington 晶体管驱动器，执行器外围设备驱动器 搜索库存
替代型号ULQ2801A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： ULQ2801A

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： DIP NPN 50V 500mA 2250mW

当前型号

STMicroelectronics达林顿晶体管功率提供高电压、高电流开关阵列，包含多个开路集电极复合晶体管对和一体式抑制二极管，用于电感性负载。 每个输出的高电流额定值为 500 mA 或更高。 输入是与输出相反的引脚，采用 IC 封装，用于简化应用板布局。 接口为标准逻辑电平，用于 TTL 或 CMOS。### Darlington 晶体管驱动器，执行器外围设备驱动器

当前型号

型号： ULN2804A

品牌： 意法半导体

封装： DIP NPN 50V 500mA 2250mW

类似代替

STMICROELECTRONICS  ULN2804A  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP

ULQ2801A和ULN2804A的区别

型号： ULN2803A

品牌： 意法半导体

封装： DIP NPN 50V 500mA 2250mW

类似代替

STMICROELECTRONICS  ULN2803A  双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP

ULQ2801A和ULN2803A的区别

型号： ULN2801A

品牌： 意法半导体

封装： DIP NPN 50V 500mA 2250mW

类似代替

STMICROELECTRONICS  ULN2801A  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP

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