UPA2737GR-E1-AT

Renesas Electronics 瑞萨电子分立器件

P沟道MOSFET -30 V， -11 A， 13米 P-channel MOSFET -30 V, -11 A, 13 m

表面贴装型 P 通道 30 V 11A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SOP

得捷:
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP

贸泽:
MOSFET MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin Power SOP T/R

Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin Power SOP T/R

Win Source:
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP

UPA2737GR-E1-AT中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 32 ns

输入电容Ciss 1750pF @10VVds

下降时间 55 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOP-8

外形尺寸

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UPA2737GR-E1-AT引脚图与封装图

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