UPA2373T1P-E4-A

Renesas Electronics 瑞萨电子主动器件

双漏极共同， N沟道MOSFET的24V ，6A， 23.0米 Dual Drain common, N-channel MOSFET 24V, 6A, 23.0m

MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共漏 - - 1.3W 表面贴装型 4-EFLIP-LGA（1.62x1.62）

得捷:
MOSFET 2N-CH 24V

贸泽:
MOSFET MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 24V 6A 4-Pin EFLIP-LGA T/R

UPA2373T1P-E4-A中文资料参数规格

技术参数

上升时间 36000 ns

额定功率Max 1.3 W

下降时间 61000 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 XFBGA-4

外形尺寸

封装 XFBGA-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UPA2373T1P-E4-A引脚图与封装图

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