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US1B-E3/61T

US1B-E3/61T

数据手册.pdf

1A，Vishay SemiconductorVishay 超快恢复整流器，具有非常快速的低至 15ns 反向恢复时间和高达 1500V 的电压级别。 典型应用包括较高频率切换模式电源 SMPS、反相器和续流二极管。### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor

FEATURES

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Glass passivated chip junction

• Ultrafast reverse recovery time

• Low switching losses, high efficiency

• High forward surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C

• AEC-Q101 qualified


得捷:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC


艾睿:
Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R


富昌:
1 A 100 V 50 ns 表面贴装 超快 整流器 - DO-214AC


Verical:
Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R


US1B-E3/61T中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 1.00 A

电容 15.0 pF

输出电流 ≤1.00 A

正向电压 1V @1A

极性 Standard

反向恢复时间 50 ns

正向电流 1 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 30 A

正向电压Max 1V @1A

正向电流Max 1 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AC

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.79 mm

高度 2.09 mm

封装 DO-214AC

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

US1B-E3/61T引脚图与封装图
暂无图片
在线购买US1B-E3/61T
型号 制造商 描述 购买
US1B-E3/61T Vishay Semiconductor 威世 1A，Vishay Semiconductor Vishay 超快恢复整流器，具有非常快速的低至 15ns 反向恢复时间和高达 1500V 的电压级别。 典型应用包括较高频率切换模式电源 SMPS、反相器和续流二极管。 ### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor 搜索库存
替代型号US1B-E3/61T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： US1B-E3/61T

品牌： Vishay Semiconductor 威世

封装： DO-214AC 100V 1A

当前型号

1A，Vishay SemiconductorVishay 超快恢复整流器，具有非常快速的低至 15ns 反向恢复时间和高达 1500V 的电压级别。 典型应用包括较高频率切换模式电源 SMPS、反相器和续流二极管。### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor

当前型号

型号： US1B-E3/5AT

品牌： 威世

封装： DO-214AC

完全替代

DIODE 1A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2Pin, Signal Diode

US1B-E3/61T和US1B-E3/5AT的区别

型号： US1B/1

品牌： 威世

封装： DO-214 100V 1A

完全替代

Diode Fast 1A 100V Sma

US1B-E3/61T和US1B/1的区别

型号： ES1D-E3/61T

品牌： 威世

封装：

类似代替

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