UPA679TB-T1-A
数据手册.pdf
Renesas Electronics
瑞萨电子
分立器件
漏源极电阻 380 mΩ
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 0.2 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 ±20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids -350 mA to 350 mA
输入电容Ciss 28pF @10VVds
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
封装 TSSOP-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
UPA679TB-T1-A引脚图
UPA679TB-T1-A封装图
UPA679TB-T1-A封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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UPA679TB-T1-A | Renesas Electronics 瑞萨电子 | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.35A/0.25A 6Pin SC-88 T/R | 搜索库存 |