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UF5407-E3/73

UF5407-E3/73

数据手册.pdf

Diode Switching 800V 3A 2Pin DO-201AD Ammo

FEATURES

• Glass passivated chip junction

• Ultrafast reverse recovery time

• Low forward voltage drop

• Low switching losses, high efficiency

• High forward surge capability

• Solder dip 260 °C, 40 s

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC


得捷:
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD


艾睿:
Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo


UF5407-E3/73中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.7V @3A

反向恢复时间 75 ns

正向电压Max 1.7V @3A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-201AD

外形尺寸

封装 DO-201AD

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UF5407-E3/73引脚图与封装图
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UF5407-E3/73 Vishay Semiconductor 威世 Diode Switching 800V 3A 2Pin DO-201AD Ammo 搜索库存
替代型号UF5407-E3/73
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: UF5407-E3/73

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-201AD

当前型号

Diode Switching 800V 3A 2Pin DO-201AD Ammo

当前型号

型号: 1N5407G

品牌: 安森美

封装: Axial 800V 3A

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型号: BY254

品牌: 台湾半导体

封装: DO-201AD

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TAIWAN SEMICONDUCTOR  BY254  标准功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 840 mV, 150 A

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