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ULN2003AFWGONEHZA

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Toshiba 东芝 分立器件

SOL NPN 50V 0.5A

Amplify your current using "s NPN Darlington transistor in order to yield a higher current gain. This product"s maximum continuous DC collector current is 0.5 A, while its minimum DC current gain is 1000@350mA@2 V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V. Its maximum power dissipation is 1250 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. This Darlington transistor array has an operating temperature range of -40 °C to 85 °C.

ULN2003AFWGONEHZA中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 1.25 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 1000 @350mA, 2V

额定功率Max 1.25 W

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 SOIC-16

外形尺寸

封装 SOIC-16

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

ULN2003AFWGONEHZA引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
ULN2003AFWGONEHZA Toshiba 东芝 SOL NPN 50V 0.5A 搜索库存
替代型号ULN2003AFWGONEHZA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： ULN2003AFWGONEHZA

品牌： Toshiba 东芝

封装： 16-SOIC NPN 1250mW

当前型号

SOL NPN 50V 0.5A

当前型号

型号： DS2003CMX/NOPB

品牌： 德州仪器

封装： SOIC 16Pin 5V

功能相似

TEXAS INSTRUMENTS  DS2003CMX/NOPB  芯片, 周边驱动器, 5V, 0.35A, SOIC-16

ULN2003AFWGONEHZA和DS2003CMX/NOPB的区别