UNR5214G0L
数据手册.pdfPanasonic(松下)
分立器件
UNR5214G0L中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 150 mW
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SMini3-G1
外形尺寸
封装 SMini3-G1
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
UNR5214G0L引脚图与封装图
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在线购买UNR5214G0L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| UNR5214G0L | Panasonic 松下 | SMini3-G1 NPN 50V 100mA | 搜索库存 |
替代型号UNR5214G0L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： UNR5214G0L 品牌： Panasonic 松下 封装： SMini3-G1 NPN | 当前型号 | SMini3-G1 NPN 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： SMUN2214T1G 品牌： 安森美 封装： SC-59-3 NPN 338mW | 功能相似 | 数字晶体管（ BRT ） R1 = 10千欧， R2 = 47 K· Digital Transistors BRT R1 = 10 k, R2 = 47 k | UNR5214G0L和SMUN2214T1G的区别 |
| 型号： SMUN2214T3G 品牌： 安森美 封装： SC-59-3 NPN 338mW | 功能相似 | 数字晶体管（ BRT ） R1 = 10千欧， R2 = 47 K· Digital Transistors BRT R1 = 10 k, R2 = 47 k | UNR5214G0L和SMUN2214T3G的区别 |