TSM160N10LCR RLG
数据手册.pdfTaiwan Semiconductor(台湾半导体)
电子元器件分类
耗散功率 2.6 W
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 4431 pF
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PDFN-8
封装 PDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
TSM160N10LCR RLG | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | N沟道 100V 46A | 搜索库存 |