TSM680P06DPQ56 RLG

Taiwan Semiconductor(台湾半导体) 电子元器件分类

2个P沟道 60V 12A

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 60V 12A Tc 3.5W Surface Mount 8-PDFN 5x6

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TSM680P06DPQ56 RLG中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.5 W

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 42.4 ns

输入电容Ciss 870pF @30VVds

额定功率Max 3.5 W

下降时间 16.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PDFN-8

外形尺寸

封装 PDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

TSM680P06DPQ56 RLG引脚图与封装图

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