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TK380P65Y,RQ

TK380P65Y,RQ

数据手册.pdf
Toshiba(东芝) 电子元器件分类

TK380P65Y,RQ 编带

N-Channel 650V 9.7A Tc 80W Tc Surface Mount DPAK


立创商城:
N沟道 650V 9.7A


得捷:
MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK


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Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK / N-Channel 650 V 9.7A Tc 80W Tc Surface Mount DPAK


TK380P65Y,RQ中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 80 W

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 590pF @300VVds

下降时间 8.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 80W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

TK380P65Y,RQ引脚图与封装图
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