TK560P60Y,RQ

Toshiba(东芝) 电子元器件分类

Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3Pin2+Tab DPAK T/R

N-Channel 600V 7A Tc 60W Tc Surface Mount DPAK

得捷:
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK

贸泽:
MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

TK560P60Y,RQ中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 60 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 380pF @300VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

TK560P60Y,RQ引脚图与封装图

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TK560P60Y,RQ	Toshiba 东芝	Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3Pin2+Tab DPAK T/R	搜索库存