TSM6N60CH C5G
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
电子元器件分类
耗散功率 89 W
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 7.6 ns
输入电容Ciss 1248pF @25VVds
下降时间 6.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 89000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
封装 TO-251-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
TSM6N60CH C5G | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | N-Ch 600V 6A 89W 1, 25R TO251 | 搜索库存 |