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TSM6N60CH C5G

TSM6N60CH C5G

N-Ch 600V 6A 89W 1, 25R TO251

N-Channel 600V 6A Tc 89W Tc Through Hole TO-251 IPAK


得捷:
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251


贸泽:
MOSFET 500V N channel Mosfet


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube


TSM6N60CH C5G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 89 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 7.6 ns

输入电容Ciss 1248pF @25VVds

下降时间 6.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 89000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

TSM6N60CH C5G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
TSM6N60CH C5G Taiwan Semiconductor 台湾半导体 N-Ch 600V 6A 89W 1, 25R TO251 搜索库存