TSM250N02DCQ RFG
数据手册.pdfTaiwan Semiconductor(台湾半导体)
电子元器件分类
耗散功率 0.62 W
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 11.6 ns
输入电容Ciss 775pF @10VVds
额定功率Max 620 mW
下降时间 7.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 620 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TDFN-6
封装 TDFN-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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TSM250N02DCQ RFG | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 2个N沟道 20V 5.8A | 搜索库存 |