TLP292ET
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
电子元器件分类
TLP292ET中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.25 V
耗散功率 200 mW
上升时间 2 µs
正向电压Max 1.4 V
正向电流Max 50 mA
下降时间 3 µs
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
引脚数 4
封装 SOP
外形尺寸
封装 SOP
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
TLP292ET引脚图与封装图 
TLP292ET引脚图
TLP292ET封装图
TLP292ET封装焊盘图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TLP292ET | Toshiba 东芝 | Optocoupler; SMD; Channels:1; Out: transistor; Uinsul:3.75kV; SO4 | 搜索库存 |