TIP30BG
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
TIP30BG中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 40
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.28 mm
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 End of Life
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
TIP30BG引脚图与封装图
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