THS4151CDG4
TI
德州仪器
电子元器件分类
THS4151CDG4中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
耗散功率 1020 mW
共模抑制比 75 dB
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压Max 33 V
电源电压Min 4 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
THS4151CDG4引脚图与封装图
暂无图片
在线购买THS4151CDG4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| THS4151CDG4 | TI 德州仪器 | SP Amp DIFF AMP Single ±16.5V/33V 8Pin SOIC Tube | 搜索库存 |
替代型号THS4151CDG4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： THS4151CDG4 品牌： TI 德州仪器 封装： | 当前型号 | SP Amp DIFF AMP Single ±16.5V/33V 8Pin SOIC Tube | 当前型号 |
| 型号： THS4150IDRG4 品牌： 德州仪器 封装： SOIC-8 8Pin 650V/us 1Channel | 功能相似 | Fully Differential Input/Output High Slew Rate Amplifier With Shutdown 8-SOIC -40℃ to 85℃ | THS4151CDG4和THS4150IDRG4的区别 |