TLV2784IDG4
TI
德州仪器
主动器件
TLV2784IDG4中文资料参数规格
技术参数
通道数 4
耗散功率 1022 mW
共模抑制比 70 dB
输入补偿漂移 8.00 µV/K
带宽 8.00 MHz
转换速率 4.30 V/μs
增益频宽积 8 MHz
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 1.8 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 14
封装 SOIC-14
外形尺寸
长度 8.65 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-14
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
TLV2784IDG4引脚图与封装图
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在线购买TLV2784IDG4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TLV2784IDG4 | TI 德州仪器 | Quad 1.8V RRIO, 8MHz Amplifier 14-SOIC -40℃ to 125℃ | 搜索库存 |
替代型号TLV2784IDG4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TLV2784IDG4 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC-14 8MHz 4Channel 14Pin | 当前型号 | Quad 1.8V RRIO, 8MHz Amplifier 14-SOIC -40℃ to 125℃ | 当前型号 |
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