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TZM5221B-GS08

TZM5221B-GS08

数据手册.pdf
VISHAY(威世) 分立器件

齐纳二极管 500mW,TZM52xxB 系列,Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 非常高的稳定性 低反向电流电平 容差 ±5% 符合 AEC-Q101### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor

额定齐纳电压VzVZener Voltage 最小min. | \---|--- 平均Typ. | 2.4V 最大max. | 误差Tolerance | 最大齐纳阻抗ZzΩDynamic Impedance | 30Ω/ohm 最大反向漏电流IRuAReverse Current | 100uA 最大耗散功率PdPower dissipation | 500mW/0.5W Description & Applications | Silicon ZENER Diodes Very sharp reverse characteristic Very high stability Electrical data identical with the devices 1N5221B...1N5267B Low reverse current level VZ-tolerance ± 5% 描述与应用 | 硅稳压 非常尖锐的反向特性 非常高的稳定性? 电气与设备相同的数据 1N5221B1N5267B 低反向电流水平 VZ-公差±5%

TZM5221B-GS08中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.1 V

耗散功率 500 mW

测试电流 20 mA

稳压值 2.4 V

稳压电流 200 mA

正向电压Max 1.1 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-80

外形尺寸

长度 3.7 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.6 mm

封装 SOD-80

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 2500

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

TZM5221B-GS08引脚图与封装图
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TZM5221B-GS08 VISHAY 威世 齐纳二极管 500mW,TZM52xxB 系列,Vishay Semiconductor 小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 非常高的稳定性 低反向电流电平 容差 ±5% 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor 搜索库存