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THS4631DRE4

THS4631DRE4

TI 德州仪器 主动器件
THS4631DRE4中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

耗散功率 1100 mW

共模抑制比 86 dB

带宽 210 MHz

转换速率 1.00 kV/μs

增益频宽积 210 MHz

可用通道 S

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压Max 30 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

THS4631DRE4引脚图与封装图
THS4631DRE4引脚图

THS4631DRE4引脚图

THS4631DRE4封装图

THS4631DRE4封装图

THS4631DRE4封装焊盘图

THS4631DRE4封装焊盘图

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型号 制造商 描述 购买
THS4631DRE4 TI 德州仪器 High Speed FET-Input Operational Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃ 搜索库存
替代型号THS4631DRE4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: THS4631DRE4

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC 210MHz 1Channel 8Pin

当前型号

High Speed FET-Input Operational Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃

当前型号

型号: THS4631D

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 325MHz 1Channel 8Pin

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型号: THS4631DDA

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 325MHz 1Channel 8Pin

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型号: THS4631DR

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 8Pin 1kV/us 1Channel

类似代替

高电压,高压摆率,宽带FET输入运算放大器 HIGH-VOLTAGE, HIGH SLEW RATE, WIDEBAND FET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER

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