
通道数 1
耗散功率 1100 mW
共模抑制比 86 dB
带宽 210 MHz
转换速率 1.00 kV/μs
增益频宽积 210 MHz
可用通道 S
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压Max 30 V
电源电压Min 10 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead

THS4631DRE4引脚图

THS4631DRE4封装图

THS4631DRE4封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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THS4631DRE4 | TI 德州仪器 | High Speed FET-Input Operational Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃ | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: THS4631DRE4 品牌: TI 德州仪器 封装: SOIC 210MHz 1Channel 8Pin | 当前型号 | High Speed FET-Input Operational Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃ | 当前型号 | |
型号: THS4631D 品牌: 德州仪器 封装: SOIC 325MHz 1Channel 8Pin | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS THS4631D.. 芯片, 高速运算放大器, 210MHZ, 1000V/uS, SOIC-8 | THS4631DRE4和THS4631D的区别 | |
型号: THS4631DDA 品牌: 德州仪器 封装: SOIC 325MHz 1Channel 8Pin | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS THS4631DDA 运算放大器, 单路, 210 MHz, 1个放大器, 1000 V/µs, ± 5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚 | THS4631DRE4和THS4631DDA的区别 | |
型号: THS4631DR 品牌: 德州仪器 封装: SOIC 8Pin 1kV/us 1Channel | 类似代替 | 高电压,高压摆率,宽带FET输入运算放大器 HIGH-VOLTAGE, HIGH SLEW RATE, WIDEBAND FET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER | THS4631DRE4和THS4631DR的区别 |