THS4501IDRG4
TI
德州仪器
电子元器件分类
THS4501IDRG4中文资料参数规格
技术参数
输出电流 100mA @5V
通道数 1
耗散功率 1020 mW
共模抑制比 74 dB
增益频宽积 300 MHz
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 1020 mW
共模抑制比Min 60dB ~ 75dB
电源电压Max 15 V
电源电压Min 4.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
THS4501IDRG4引脚图与封装图 
THS4501IDRG4引脚图
THS4501IDRG4封装图
THS4501IDRG4封装焊盘图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| THS4501IDRG4 | TI 德州仪器 | High-Speed Fully Differential Amplifier, +/-5V 8-SOIC -40℃ to 85℃ | 搜索库存 |