TLV2761IDG4
TI
德州仪器
主动器件
TLV2761IDG4中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
耗散功率 710 mW
共模抑制比 63 dB
输入补偿漂移 9.00 µV/K
带宽 500 kHz
转换速率 200 mV/μs
增益频宽积 500 kHz
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 1.8 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
TLV2761IDG4引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TLV2761IDG4 | TI 德州仪器 | Single 1.8V, Micro-power, Rail-to-Rail, Single Supply Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃ | 搜索库存 |