TPC817S1D RAG
数据手册.pdfTaiwan Semiconductor(台湾半导体)
电子元器件分类
TPC817S1D RAG中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 4µs, 3µs
通道数 1
正向电压 1.2 V
耗散功率 200 mW
上升时间 4 µs
隔离电压 5000 Vrms
正向电流 50 mA
输出电压Max 80 V
正向电压Max 1.4 V
正向电流Max 50 mA
下降时间 3 µs
下降时间Max 18 µs
上升时间Max 18 µs
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
引脚数 4
封装 SOP-4
外形尺寸
封装 SOP-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 100℃
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
TPC817S1D RAG引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TPC817S1D RAG | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | Optoc. 5kV 80V 50mA >300% SMD4 | 搜索库存 |