TIP42B
数据手册.pdf
Central Semiconductor
电子元器件分类
TIP42B中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 30 @300mA, 4V
额定功率Max 65 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TIP42B引脚图与封装图
暂无图片
替代型号TIP42B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TIP42B 品牌： Central Semiconductor 封装： | 当前型号 | Leaded Power Transistor General Purposeo | 当前型号 |
| 型号： 2N4398 品牌： NTE Electronics 封装： PNP | 功能相似 | NTE ELECTRONICS 2N4398 Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 100V, 2MHz, 200W, 30A, 25 hFE | TIP42B和2N4398的区别 |