TK4R3A06PL,S4X

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH Si 60V 68A 3Pin3+Tab TO-220SIS Tube

N-Channel 60V 68A Tc 36W Tc Through Hole TO-220SIS

得捷:
MOSFET N-CH 60V 68A TO220SIS

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 68A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Tube

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 68A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Tube

TK4R3A06PL,S4X中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 36 W

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 3280pF @30VVds

下降时间 18 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 36W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

TK4R3A06PL,S4X引脚图与封装图

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