TK4R3E06PL,S1X
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
TK4R3E06PL,S1X中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 87 W
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 3280pF @30VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 87W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
高度 15.1 mm
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
TK4R3E06PL,S1X引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TK4R3E06PL,S1X | Toshiba 东芝 | Trans MOSFET N-CH Si 60V 106A 3Pin3+Tab TO-220 Tube | 搜索库存 |