TPW1R306PL,L1Q

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH Si 60V 260A 8Pin DSOP Advance

N-Channel 60V 260A Tc 960mW Ta, 170W Tc Surface Mount 8-DSOP Advance

得捷:
MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 260A 8-Pin DSOP Advance

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 260A 8-Pin DSOP Advance

TPW1R306PL,L1Q中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3 W

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 8.3 ns

输入电容Ciss 6250pF @30VVds

下降时间 14.7 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 960mW Ta, 170W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DSOP-8

外形尺寸

封装 DSOP-8

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

TPW1R306PL,L1Q引脚图与封装图

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