TSM4N80CI C0G

Taiwan Semiconductor(台湾半导体) 电子元器件分类

N-Ch 800V 4A 38, 7W 3R ITO220

通孔 N 通道 800 V 4A（Tc） 38.7W（Tc） ITO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 800V 4A ITO220AB

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin3+Tab ITO-220 Tube

Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin3+Tab ITO-220 Tube

Win Source:
MOSFET N-CH 800V 4A ITO220AB / N-Channel 800 V 4A Tc 38.7W Tc Through Hole ITO-220AB

TSM4N80CI C0G中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 38.7 W

上升时间 38 ns

输入电容Ciss 955pF @25VVds

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 38700 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead free

TSM4N80CI C0G引脚图与封装图

暂无图片

在线购买TSM4N80CI C0G

型号	制造商	描述	购买
TSM4N80CI C0G	Taiwan Semiconductor 台湾半导体	N-Ch 800V 4A 38, 7W 3R ITO220	搜索库存