TSM2NB60CH C5G中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 44 W
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 9.8 ns
输入电容Ciss 249pF @25VVds
下降时间 12.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 44000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
TSM2NB60CH C5G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| TSM2NB60CH C5G | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | MOSFET 600V 2A N Channel Mosfet | 搜索库存 |