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TSM1NB60CP ROG

数据手册.pdf

晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3.5 V

The TSM1NB60CP is a 600V N-channel Power MOSFET with single configuration, which features low gate charge. It is suitable for power supply and charger applications.

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Advanced planar process
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100% Avalanche tested
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Low RDS ON
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Low CRSS

贸泽:
MOSFET 600V 1A N Channel Mosfet


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TSM1NB60CP ROG中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 8 Ω

耗散功率 39 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 6.8 ns

输入电容Ciss 138pF @25VVds

下降时间 14.9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 39000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 照明, 电源管理, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

TSM1NB60CP ROG引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
TSM1NB60CP ROG Taiwan Semiconductor 台湾半导体 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3.5 V 搜索库存