TSM190N08CZ C0G
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
电子元器件分类
TSM190N08CZ C0G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
耗散功率 2 W
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 8600pF @30VVds
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
TSM190N08CZ C0G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| TSM190N08CZ C0G | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | N沟道 75V 190A | 搜索库存 |