TSM35N10CP ROG
数据手册.pdfTaiwan Semiconductor(台湾半导体)
电子元器件分类
TSM35N10CP ROG中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2000 mW
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 1598 pF
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83.3W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
TSM35N10CP ROG引脚图与封装图
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| TSM35N10CP ROG | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |